單項(xiàng)選擇題X射線的穿透能力主要取決于（）。
A、管電流
B、管電壓
C、曝光時間
D、焦距
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1.單項(xiàng)選擇題底片黑度正常而襯度不夠的原因可能是（）。
A、射線太硬
B、顯影不足
C、顯影液陳舊失效
D、以上都對
2.單項(xiàng)選擇題放射性同位素源的半衰期取決于（）。
A、源的強(qiáng)度
B、源的尺寸
C、源的使用時間
D、源的種類
3.單項(xiàng)選擇題（）指的是同位素。
A、質(zhì)量數(shù)相同，中子數(shù)不同的元素
B、質(zhì)量數(shù)不同，中子數(shù)相同的元素
C、質(zhì)子數(shù)相同，中子數(shù)不同的元素
D、中子數(shù)相同，質(zhì)子數(shù)不同的元素
4.單項(xiàng)選擇題放射性同位素鈷60是將其穩(wěn)定的同位素鈷59至于核反應(yīng)堆中俘獲（）而發(fā)生核反應(yīng)制成的。
A、電子
B、中子
C、質(zhì)子
D、原子
5.單項(xiàng)選擇題以相同條件透照某工件，若焦距縮短20%，要達(dá)到同樣的黑度的底片，曝光時間可以減少（）。
A、64%
B、36%
C、20%
D、80%
最新試題
渦流檢測線圈是在被檢測導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵產(chǎn)生（）
題型：單項(xiàng)選擇題
波束截面中心聲能（），隨著與中心的距離的增大，聲能（）
題型：單項(xiàng)選擇題
渦流檢測儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出（）的相關(guān)信息。
題型：單項(xiàng)選擇題
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時，如果聲束軸線移到缺陷邊緣，缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時波高的（）
題型：單項(xiàng)選擇題
渦流檢測中的對比試樣的（）和材質(zhì)相對被檢測產(chǎn)品必須具有代表性。
題型：單項(xiàng)選擇題
磁性測厚技術(shù)包括機(jī)械式和（）兩種測量方法。
題型：單項(xiàng)選擇題
渦流檢測輔助裝置的試樣傳動裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的（）
題型：單項(xiàng)選擇題
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束（），保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
題型：單項(xiàng)選擇題
（）件對不同類型的檢測對象和要求，采用的方式各有不同。
題型：單項(xiàng)選擇題
對于長條形試件，則常沿（）作平行縱軸的直線式掃查。
題型：單項(xiàng)選擇題