PNP型晶體管工作在放大狀態(tài)，三個(gè)極電位的關(guān)系是（）。
A.A
B.B
C.C
D.D
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測(cè)得電路中晶體三極管各電極相對(duì)于地的電位如圖，從而可判斷該晶體管工作在（）。
A.飽和狀態(tài)
B.放大狀態(tài)
C.倒置狀態(tài)
D.截止?fàn)顟B(tài)
工作在放大狀態(tài)的三極管兩個(gè)電極電流如圖，那么，第三個(gè)電極的電流大小、方向和管腳自左至右順序分別為（）。
A.0.03mA 流出三極管ecb
B.0.03mA 流進(jìn)三極管ecb
C.0.03mA 流出三極管ceb
D.0.03mA 流進(jìn)三極管ceb
A.正向偏置時(shí)導(dǎo)通，反向偏置時(shí)截止
B.反向偏置時(shí)無(wú)電流流過(guò)二極管
C.反向擊穿后立即燒毀
D.導(dǎo)通時(shí)可等效為一線性電阻
A.正常
B.斷路
C.被擊穿
D.短路
A.阻當(dāng)層不變，反向電流基本不變
B.阻當(dāng)層變厚，反向電流基本不變
C.阻當(dāng)層變窄，反向電流增大
D.阻當(dāng)層變厚，反向電流減小
最新試題
以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號(hào)處理系統(tǒng)的最后一級(jí)？?（）
在對(duì)數(shù)字鐘計(jì)時(shí)、校時(shí)模塊進(jìn)行仿真時(shí)，設(shè)秒信號(hào)的周期為10ns，若要觀察24時(shí)制計(jì)數(shù)是否正確，那么在復(fù)位信號(hào)無(wú)效，計(jì)時(shí)使能信號(hào)有效的情況下，仿真需運(yùn)行多長(zhǎng)時(shí)間？（）
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用，和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有（）。
CD放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?????
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大，溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
MOSFET做放大器，要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，該同學(xué)觀測(cè)到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請(qǐng)問(wèn)此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
?CS放大器中引入源極電阻RS，其作用有（）。?
?CG放大器的性能描述合理的是（）。