A.外加磁場(chǎng)的強(qiáng)度
B.材料的磁導(dǎo)率
C.材料的磁感應(yīng)強(qiáng)度
D.缺陷的埋藏深度
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A.通過多個(gè)聲束角度的設(shè)定實(shí)現(xiàn)對(duì)復(fù)雜形狀工件的檢測(cè)
B.通過動(dòng)態(tài)控制聲束偏轉(zhuǎn),可對(duì)工件全深度進(jìn)行聚焦
C.要想獲得圓弧形波陣面,應(yīng)從左到右等間距激勵(lì)振元
D.可在不移動(dòng)探頭的情況下進(jìn)行扇面掃描,從而提高檢測(cè)效率
A.α射線是一束氦的原子核,帶正電
B.β射線是一束快速運(yùn)動(dòng)的電子,帶負(fù)電
C.γ射線是一種波長很短的電磁波,不帶電
D.α、β、γ三種射線均不帶電
A.焊接接頭種常見的缺陷是氣孔和冷裂紋
B.母材組織不均勻會(huì)導(dǎo)致噪聲較高
C.焊接接頭晶粒粗大影響檢測(cè)效果
D.應(yīng)使用CSK-ⅡA試塊調(diào)節(jié)靈敏度
A.按管子橫向缺陷的檢測(cè)方法進(jìn)行檢測(cè)
B.利用大K值小晶片短前沿橫波斜探頭進(jìn)行檢測(cè)
C.探頭K值根據(jù)需要確定,當(dāng)一次波掃查不到焊接接頭根部時(shí),可利用三次波檢測(cè)
D.試塊的耦合面曲率應(yīng)與被探管徑相同
A.應(yīng)對(duì)位于定量線及定量線以上缺陷作出缺陷類型和性質(zhì)的判斷
B.原則上采用直射波檢測(cè)缺陷各參數(shù),掃查靈敏度可根據(jù)需要確定,但不得使噪聲回波高度超過滿屏的20%
C.只須對(duì)位于判廢線及以上的缺陷進(jìn)行各項(xiàng)參數(shù)測(cè)得
D.只須對(duì)新產(chǎn)生的缺陷進(jìn)行各項(xiàng)參數(shù)測(cè)定
最新試題
使用變型波檢測(cè)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是()
在工作中超聲波檢測(cè)儀屏幕上可能會(huì)出現(xiàn)()等信號(hào)波,需要仔細(xì)判別。
底片清晰度與增感屏顆粒度的關(guān)系是()
發(fā)生康普頓散射的條件是()
不同材料的相對(duì)吸收系數(shù)()
若評(píng)片燈亮度增為原來的兩倍,則底片透光度(It/I0)變?yōu)樵瓉淼模ǎ?/p>
一般認(rèn)為表面波探測(cè)的有效深度約為()
調(diào)節(jié)掃描速度時(shí),應(yīng)使()同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的水平刻度值。
底片清晰度和膠片與被照件貼緊程度的關(guān)系是()
二次波檢測(cè)是一種特殊的檢測(cè)工藝,以下關(guān)于二次波檢測(cè)的做敘述,哪一條是錯(cuò)誤的()