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問答題一截面為0.6cm²，長(zhǎng)為1cm的n型GaAs樣品，設(shè)μ_n=8000cm²/V.s，n=10¹⁵cm³，試求該樣品的電阻。

1.問答題設(shè)電子遷移率為0.1cm²/V.s，硅的電子有效質(zhì)量m_cn=0.26m₀，如加以強(qiáng)度為10⁴V/m的電場(chǎng)，試求平均自由時(shí)間和平均自由程。

2.問答題在500g的硅單晶中摻有4.5×10^-5g的硼，設(shè)雜質(zhì)全部電離，求該材料的電阻率（設(shè)μ_p=400cm²/V.s），硅單密度為2.33g/cm³，硼的原子量為10.8）。

3.問答題本征硅在室溫時(shí)電子和空穴遷移分別為1350cm²/V.s和500cm²/V.s，當(dāng)摻入百萬分之一的A_s后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試計(jì)算其電導(dǎo)率比本征硅的電導(dǎo)率增大了多少倍？

4.問答題300K時(shí)，鍺的本征電阻率為47Ω.cm，如電子空求本征鍺的載流子濃度分別為3900cm²/V.s和1900cm²/V.s，求本征鍺的載流子濃度。

5.問答題設(shè)硅中施主雜質(zhì)電離能ΔE_D=0.04eV，施主雜質(zhì)濃度N_D=10¹⁶/cm³，以施主雜質(zhì)電離90%作為達(dá)到強(qiáng)電離的最低標(biāo)準(zhǔn)，試計(jì)算保持飽和雜質(zhì)電離的溫度范圍。