A.MOSFET
B.GTO
C.IGT
D.MCT
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A.MOSFET
B.GTO
C.IGT
D.MCT
A.漏源間的耐壓,漏極最大允許電流和最大耗散功率
B.漏極連續(xù)電流
C.柵源極擊穿電壓
D.漏極峰值電壓
A.二次擊穿是造成GTR突然損壞或早期失效的重要原因
B.在電感性負(fù)載和大電流開關(guān)電路中,二次擊穿不是晶體管毀壞的主要因素
C.二次擊穿已成為影響電力晶體管安全使用和可靠性的重要因素
D.一旦發(fā)生二次擊穿,就有可能是晶體管收到永久性損壞。
A.單管GTR
B.GTO
C.光控晶閘管
D.逆導(dǎo)晶閘管
A.GTO的最大陽極電流不是一個(gè)固定的數(shù)值;
B.關(guān)斷增益高是GTC晶閘管的一個(gè)主要特點(diǎn);
C.陽極尖峰電壓是在“下降時(shí)間末尾出現(xiàn)的極值電壓:
D.GTO的維持電流指陽極電流減小到開始出現(xiàn)GTO不能再維持導(dǎo)通的數(shù)值
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