A.正向
B.雙向
C.單向
D.反向
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A.鍺
B.塑料
C.銅
D.云母
A.輸入電阻小,輸出電阻大
B.輸入電阻小,輸出電阻小
C.輸入電阻大,輸出電阻小
D.輸入電阻大,輸出電阻大
A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.飽和區(qū)
D.擊穿區(qū)
A.基極、集電極、發(fā)射極
B.發(fā)射極、基極、集電極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.集電極、基極、發(fā)射極
A.60
B.75
C.80
D.100
最新試題
?電路如圖所示,如果電容C2開(kāi)路,則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)(),漏極交流電壓將會(huì)(),增益將會(huì)()。
CG放大器具有較()的輸入電阻和較()的輸出電阻。?
?verilogHDL的基本結(jié)構(gòu)中通常需要進(jìn)行模塊范圍的定義,VerilogHDL的模塊范圍的定義的開(kāi)始和結(jié)束方式是()。
CD放大器具有較()的輸入電阻和較()的輸出電阻。?????
?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測(cè)頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)?()
?已知Nexys4開(kāi)發(fā)板外部時(shí)鐘信號(hào)頻率為100MHz,數(shù)字鐘用來(lái)產(chǎn)生秒信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)頻率為1Hz,若采用計(jì)數(shù)器對(duì)100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號(hào),請(qǐng)問(wèn)該計(jì)數(shù)器至少需要多少位?()
?TTL或非門(mén)組成的邏輯電路如圖所示,當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象?()
以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號(hào)處理系統(tǒng)的最后一級(jí)??()
?CS、CG和CD三種組態(tài)中,最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個(gè)加數(shù),ci為來(lái)自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義:下面通過(guò)層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。