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A.電壓串聯(lián)
B.電壓并聯(lián)
C.電流串聯(lián)
D.電流并聯(lián)
A.電壓并聯(lián)
B.電流串聯(lián)
C.電壓串聯(lián)
D.電流并聯(lián)
A.輸入電阻增大
B.輸出量增大
C.凈輸入量增大
D.凈輸入量減小
A.輸入電阻減小
B.輸出電阻減小
C.輸出電阻增大
D.輸入電阻增大
最新試題
CD放大器具有較()的輸入電阻和較()的輸出電阻。?????
在對(duì)數(shù)字鐘計(jì)時(shí)、校時(shí)模塊進(jìn)行仿真時(shí),設(shè)秒信號(hào)的周期為10ns,若要觀察24時(shí)制計(jì)數(shù)是否正確,那么在復(fù)位信號(hào)無(wú)效,計(jì)時(shí)使能信號(hào)有效的情況下,仿真需運(yùn)行多長(zhǎng)時(shí)間?()
以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號(hào)處理系統(tǒng)的最后一級(jí)??()
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用,和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有()。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
?10進(jìn)制計(jì)數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊?()
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大,溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級(jí)原型的符號(hào)有()。
?6位7段數(shù)碼管動(dòng)態(tài)顯示模塊如圖,要求人眼看到所有數(shù)碼管同時(shí)顯示各自對(duì)應(yīng)的數(shù)字,控制數(shù)碼管位選信號(hào)的動(dòng)態(tài)掃描時(shí)鐘信號(hào)頻率約為多少?()
?電路如圖所示,如果電容C2開(kāi)路,則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)(),漏極交流電壓將會(huì)(),增益將會(huì)()。