A.逆壓電
B.正壓電
C.壓電
D.壓差
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A.逆壓電
B.正壓電
C.壓電
D.壓差
A.確定缺陷深度
B.評(píng)定表面缺陷
C.作為評(píng)定長(zhǎng)條形缺陷的標(biāo)準(zhǔn)
D.作為評(píng)定點(diǎn)狀缺陷的標(biāo)準(zhǔn)
A.減小
B.增大
C.不變
D.可增大或減小
A.晶粒結(jié)構(gòu)非常致密
B.晶粒結(jié)構(gòu)粗大
C.流線(xiàn)均勻
D.缺陷任意取向
A.3倍
B.12dB
C.24dB
D.以上三個(gè)答案都不對(duì)
最新試題
二次波檢測(cè)是一種特殊的檢測(cè)工藝，以下關(guān)于二次波檢測(cè)的做敘述，哪一條是錯(cuò)誤的（）
一般認(rèn)為表面波探測(cè)的有效深度約為（）
影響較大的散射線(xiàn)通常來(lái)自（）
一個(gè)均勻的輻射光束強(qiáng)度為I0的射線(xiàn)，穿過(guò)一個(gè)厚度為X的物質(zhì)，其強(qiáng)度降低量為I，可用I=-μI0X表示，μ為比例常數(shù)，此式代表什么現(xiàn)象（）
探頭的分辨力（）
下列對(duì)耦合劑應(yīng)該具有的特點(diǎn)的描述，不正確的一項(xiàng)是（）
若評(píng)片燈亮度增為原來(lái)的兩倍，則底片透光度（It/I0）變?yōu)樵瓉?lái)的（）
某超聲波探頭，壓電晶片的頻率常數(shù)Nt=1500m/s晶片厚度為0.3mm，則該探頭工作頻率為（）
通常所謂20KV的X射線(xiàn)是指（）
最容易發(fā)生康普頓效應(yīng)的射線(xiàn)能量為（）