N+PN型晶體管基區(qū)的少數(shù)載流子的濃度分布曲線如圖所示，其中nb0表示平衡時(shí)自由電子的濃度。 （1）說(shuō)明每種濃度分布曲線所對(duì)應(yīng)的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的偏置狀態(tài)。 （2）說(shuō)明每種濃度分布曲線所對(duì)應(yīng)的晶體管的工作狀態(tài)。
同相加法電路如圖所示，試推導(dǎo)其輸出電壓與輸入電壓之間的函數(shù)關(guān)系式。
PNP型晶體管工作在放大狀態(tài)，三個(gè)極電位的關(guān)系是（）。
圖所示三種甲類功放的輸出電路，晶體管和UCC相同，飽和壓降和穿透電流均為0，圖（c）中的變壓器效率為1。比較三種電路中哪種電路的輸出功率最大？哪種電路的效率最低？（C1、C、C2為耦合電容，設(shè)輸入激勵(lì)充分）
試用相位平衡條件判斷下圖所示電路是否可能產(chǎn)生正弦波振蕩。如可能振蕩，指出該振蕩電路屬于什么類型（如變壓器反饋式、電感三點(diǎn)式、電容三點(diǎn)式等），并估算其振蕩頻率。已知這兩個(gè)電路中的L＝0.5mH，C1＝C2＝40pF。
圖（a）不可能振蕩。圖（b）可能振蕩，為電容三點(diǎn)式正弦波振蕩電路。振蕩頻率為。
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