A.頻率增加，晶片直徑減小而減小
B.頻率或晶片直徑減小而增大
C.頻率或晶片直徑減小而減小
D.頻率增加，晶片直徑減小而增大
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A、橫波衰減比縱波嚴(yán)重
B、衰減系數(shù)一般隨材料的溫度上升而增大
C、當(dāng)晶粒度大于波長(zhǎng)1/10時(shí)對(duì)探傷有顯著影響
D、提高增益可完全克服衰減對(duì)探傷的影響
A、擴(kuò)散衰減
B、散射衰減
C、吸收衰減
D、以上都是
A、按振動(dòng)方向分，板波可分為SH波和蘭姆波，探傷常用的是蘭姆波
B、板波聲速不僅與介質(zhì)特性有關(guān)，而且與板厚、頻率有關(guān)
C、板波聲速包括相速度和群速度兩個(gè)參數(shù)
D、實(shí)際探傷應(yīng)用時(shí)，只考慮相速度，無(wú)須考慮群速度
A.增大
B.不變
C.減少
D.以上都不對(duì)
A、C1>C2
B、C1
D、Z1=Z2
最新試題
測(cè)長(zhǎng)法是根據(jù)測(cè)長(zhǎng)缺陷回波高度變化與探頭移動(dòng)位置的相互關(guān)系來(lái)確定缺陷尺寸的。按規(guī)定的方法測(cè)得的缺陷長(zhǎng)度稱為缺陷的（）。
直接接觸法是指探頭與工件之間（）。
縱波直探頭徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱時(shí)，在第一次底波之后，還有2個(gè)特定位置的反射波，這種波是（）。
儀器水平線性影響（）。
當(dāng)超聲波到達(dá)工件的臺(tái)階、螺紋等輪廓時(shí)將引起反射，這種波是（）。
底波高度法不用試塊，可以直接利用底波調(diào)節(jié)靈敏度和比較缺陷的相對(duì)大小，操作方便，適用于（）的工件。
關(guān)于液浸法的優(yōu)點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
底波計(jì)算法是利用（）與平底孔反射回波相差的分貝（dB）值進(jìn)行靈敏度校準(zhǔn)。
用折射角β的斜探頭進(jìn)行檢測(cè)，儀器顯示缺陷的聲程為S，則缺陷的水平距離l為（）。
缺陷的定量包括缺陷大小和數(shù)量的確定，而缺陷的大小可由缺陷的面積或（）來(lái)表征。