A、頻率為2.5MHz
B、圓晶片直徑為20㎜
C、晶片材料為鈦酸鋇陶瓷
D、以上都對(duì)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、電源電路、同步電路
B、發(fā)射電路、時(shí)基掃描電路
C、接收電路、顯示電路
D、以上都是
A、探測(cè)頻率
B、缺陷方向
C、缺陷部位
D、鋼板的厚度
A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、壓電應(yīng)變常數(shù)
C、壓電電壓常數(shù)
D、機(jī)械品質(zhì)因子
A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、壓電應(yīng)變常數(shù)
C、機(jī)械品質(zhì)因子
D、壓電電壓常數(shù)
A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、機(jī)械品質(zhì)因子
C、壓電應(yīng)變常數(shù)
D、壓電壓常數(shù)
最新試題
采用以（）為橫坐標(biāo)，以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生（）
鑄件超聲檢測(cè)的特點(diǎn)是常采用低頻聲被以減輕衰減和散射，相應(yīng)的可檢缺陷尺寸（）
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng)，即可獲得缺陷的（）所在的位置，從而定出缺陷的平面位置。
各類渦流檢測(cè)儀器的（）和結(jié)構(gòu)各不相同。
掃查方式一般視試件的（）而定。
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的（）和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置在（）材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。
對(duì)于圓盤形試件，常沿（）在圓面上進(jìn)行掃查。
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。