單項(xiàng)選擇題用二進(jìn)制碼表示指定離散電平的過(guò)程稱為（）。
A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼
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1.單項(xiàng)選擇題一個(gè)無(wú)符號(hào)4位權(quán)電阻DAC，最低位處的電阻為40KΩ，則最高位處電阻為（）。
A.4KΩ
B.5KΩ
C.10KΩ
D.20KΩ
2.單項(xiàng)選擇題將一個(gè)時(shí)間上連續(xù)變化的模擬量轉(zhuǎn)換為時(shí)間上斷續(xù)（離散）的模擬量的過(guò)程稱為（）。
A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼
3.單項(xiàng)選擇題一個(gè)無(wú)符號(hào)10位數(shù)字輸入的DAC，其輸出電平的級(jí)數(shù)為（）。
A.4
B.10
C.1024
D.2
4.單項(xiàng)選擇題一個(gè)無(wú)符號(hào)8位數(shù)字量輸入的DAC，其分辨率為（）位。
A.1
B.3
C.4
D.8
5.單項(xiàng)選擇題在權(quán)電阻型D/A轉(zhuǎn)換器中（）。
A.輸出端需接由運(yùn)放構(gòu)成的跟隨器
B.每個(gè)權(quán)電阻都接在相應(yīng)的開(kāi)關(guān)上
C.相鄰電阻的比值都是2倍的關(guān)系
D.相鄰電阻的比值都不是2倍的關(guān)系
最新試題
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入（）路編碼信號(hào)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電可擦除的PROM器件是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
TTL與非門(mén)輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
TTL與非門(mén)閾值電壓UT的典型值是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
TTL與非門(mén)輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D，則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體？是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體？簡(jiǎn)述它們的作用。
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在？
題型：?jiǎn)柎痤}