單項選擇題N型半導體于鍺或硅中加入之雜質為（）
A.三價
B.四價
C.五價
D.以上各價均可能
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1.單項選擇題二極管的動態(tài)電阻rd為（）
A.nVT/Is
B.VD/ID
C.VT/1mA
D.nVT/ID
2.單項選擇題
如圖所示，實驗電路伏特計所測量電壓為3V，則R值應接近多少？（）（注：伏特計內阻為20kΩ；D為硅二極管）
A.1Ω
B.2Ω
C.8Ω
D.4Ω
E.6Ω
3.單項選擇題下列何種二極管的空乏區(qū)最窄？（）
A.發(fā)光二極管
B.透納二極管
C.變容二極管
D.稽納二極管
4.單項選擇題半導體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），利用空乏區(qū)可做成（）
A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非
5.單項選擇題半導體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），在何種情況下更明顯（）
A.斷路時
B.短路時
C.順向偏壓時
D.逆向偏壓時
最新試題
下列哪種類型的正弦波振蕩器輸出功率大且頻率較高？（）
題型：單項選擇題
負反饋在放大電路中的主要作用不包括以下哪一項？（）
題型：單項選擇題
低頻功率放大器的基本要求通常不包括以下哪一項？（）
題型：單項選擇題
74LS163的計數(shù)功能是如何實現(xiàn)的？（）
題型：單項選擇題
74LS163的預置功能是如何實現(xiàn)的？（）
題型：單項選擇題
或門電路（OR Gate）的邏輯功能可以描述為（）
題型：單項選擇題
555時基電路的主要功能不包括以下哪項？（）
題型：單項選擇題
74LS163的清除功能是如何實現(xiàn)的？（）
題型：單項選擇題
74LS163是什么類型的計數(shù)器？（）
題型：單項選擇題
在TTL或CMOS門電路中，如何識別引腳？（）
題型：單項選擇題