單項(xiàng)選擇題對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路以下要求正確的是（）

A.驅(qū)動(dòng)脈沖不需要太快的上升和下降速度
B.開(kāi)通時(shí)以高電阻對(duì)柵極電容充電
C.開(kāi)通脈沖電壓的幅度應(yīng)低于管子的開(kāi)啟電壓
D.驅(qū)動(dòng)電流為柵極電容的充放電電流，極間電容越大，所需的驅(qū)動(dòng)電流也越大


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1.單項(xiàng)選擇題GTO晶閘管的門(mén)極控制電路不包括（）

A.開(kāi)通控制
B.逆轉(zhuǎn)控制
C.關(guān)斷控制

2.單項(xiàng)選擇題以下屬于復(fù)合型電力電子器件的是（）

A.MOSFET
B.GTO
C.IGT
D.GTR

3.單項(xiàng)選擇題以下屬于單極型電力電子器件的是（）

A.MOSFET
B.GTO
C.IGT
D.MCT

4.單項(xiàng)選擇題以下屬于雙極型電力電子器件的是（）

A.MOSFET
B.GTO
C.IGT
D.MCT

5.單項(xiàng)選擇題電力MOSFET不存在二次擊穿的問(wèn)題，是由于（）決定了電力MOSFET的安全工作區(qū)。

A.漏源間的耐壓，漏極最大允許電流和最大耗散功率
B.漏極連續(xù)電流
C.柵源極擊穿電壓
D.漏極峰值電壓