單項選擇題在一硅質二極管的兩端外加一順向偏壓1V，并測得順向電流為10mA，則二極管的分布電阻為（）
A.10Ω
B.30Ω
C.70Ω
D.100Ω
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1.單項選擇題N型半導體于鍺或硅中加入之雜質為（）
A.三價
B.四價
C.五價
D.以上各價均可能
2.單項選擇題二極管的動態(tài)電阻rd為（）
A.nVT/Is
B.VD/ID
C.VT/1mA
D.nVT/ID
3.單項選擇題
如圖所示，實驗電路伏特計所測量電壓為3V，則R值應接近多少？（）（注：伏特計內阻為20kΩ；D為硅二極管）
A.1Ω
B.2Ω
C.8Ω
D.4Ω
E.6Ω
4.單項選擇題下列何種二極管的空乏區(qū)最窄？（）
A.發(fā)光二極管
B.透納二極管
C.變容二極管
D.稽納二極管
5.單項選擇題半導體PN接合面出現空乏區(qū)（depletion layer），利用空乏區(qū)可做成（）
A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非
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