你可能感興趣的試題

判斷題
金屬氧化物MO中氧原子過剩時(shí)形成n型半導(dǎo)體，金屬原子過剩時(shí)形成p型半導(dǎo)體。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
處于超導(dǎo)態(tài)的超導(dǎo)體是一抗磁體，此時(shí)超導(dǎo)體具有屏蔽磁場(chǎng)和排除磁通的功能。
答案：正確
判斷題
n-型半導(dǎo)體負(fù)電吸附，p-型半導(dǎo)體正電吸附，表面電導(dǎo)率增加。
答案：錯(cuò)誤
判斷題
空間電荷層形成耗盡層，材料表面電導(dǎo)率降低。
答案：正確
判斷題
電子導(dǎo)電材料中溫度對(duì)載流子遷移率的影響為：低溫下雜質(zhì)離子對(duì)電子的散射起主要作用，高溫下聲子對(duì)電子的散射起主要作用。
答案：正確
判斷題
因?yàn)榻饘僦凶杂呻娮訚舛群艽?，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過半導(dǎo)體的載流子密度，故半導(dǎo)體的霍爾系數(shù)大于金屬。
答案：正確
判斷題
如果對(duì)某試樣測(cè)得的霍爾系數(shù)RH為正值，則其電導(dǎo)載流子為電子。
答案：錯(cuò)誤
單項(xiàng)選擇題
空位隨溫度升高而增加，在20℃和1020℃之間，由于熱膨脹bcc鐵的晶格常數(shù)增加0.51%，而密度減少2.0%，假設(shè)在時(shí)，此金屬中每1000個(gè)單位晶胞中有1個(gè)空位，試估計(jì)在時(shí)每1000個(gè)單位晶胞中有多少個(gè)空位？（）（bcc鐵單位晶胞中有2個(gè)原子，假設(shè)晶格不變）
A.71
B.21
C.11
D.61
單項(xiàng)選擇題
單晶硅半導(dǎo)體的禁帶寬度為1.10eV，等效狀態(tài)密度N=1.0×10¹⁹/cm³，求在273K時(shí)該半導(dǎo)體中的本征載流子濃度ni為（）。
A.1.34×10⁹/cm³
B.6.7×10⁸/cm³
C.2.2×10⁹/cm³
D.1.1×10⁹/cm³
單項(xiàng)選擇題
已知某離子晶體的晶格常數(shù)為5.0×10^-8cm，固有振動(dòng)頻率為10¹²Hz，晶格勢(shì)能壘為0.5eV，求300K時(shí)的離子遷移率為（）。
A.1.24×10^-10cm²/s·V
B.6.19×10^-11cm²/s·V
C.9.14×10^-10cm²/s·V
D.4.57×10^-10cm²/s·V

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化合物半導(dǎo)體的禁帶寬度一般隨平均原子系數(shù)的增加而變窄，如GaN＞GaP。

你可能感興趣的試題

金屬氧化物MO中氧原子過剩時(shí)形成n型半導(dǎo)體，金屬原子過剩時(shí)形成p型半導(dǎo)體。

處于超導(dǎo)態(tài)的超導(dǎo)體是一抗磁體，此時(shí)超導(dǎo)體具有屏蔽磁場(chǎng)和排除磁通的功能。

n-型半導(dǎo)體負(fù)電吸附，p-型半導(dǎo)體正電吸附，表面電導(dǎo)率增加。

空間電荷層形成耗盡層，材料表面電導(dǎo)率降低。

電子導(dǎo)電材料中溫度對(duì)載流子遷移率的影響為：低溫下雜質(zhì)離子對(duì)電子的散射起主要作用，高溫下聲子對(duì)電子的散射起主要作用。

因?yàn)榻饘僦凶杂呻娮訚舛群艽?，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過半導(dǎo)體的載流子密度，故半導(dǎo)體的霍爾系數(shù)大于金屬。

如果對(duì)某試樣測(cè)得的霍爾系數(shù)RH為正值，則其電導(dǎo)載流子為電子。

單晶硅半導(dǎo)體的禁帶寬度為1.10eV，等效狀態(tài)密度N=1.0×10¹⁹/cm³，求在273K時(shí)該半導(dǎo)體中的本征載流子濃度ni為（）。

已知某離子晶體的晶格常數(shù)為5.0×10^-8cm，固有振動(dòng)頻率為10¹²Hz，晶格勢(shì)能壘為0.5eV，求300K時(shí)的離子遷移率為（）。

化合物半導(dǎo)體的禁帶寬度一般隨平均原子系數(shù)的增加而變窄，如GaN＞GaP。

你可能感興趣的試題

金屬氧化物MO中氧原子過剩時(shí)形成n型半導(dǎo)體，金屬原子過剩時(shí)形成p型半導(dǎo)體。

處于超導(dǎo)態(tài)的超導(dǎo)體是一抗磁體，此時(shí)超導(dǎo)體具有屏蔽磁場(chǎng)和排除磁通的功能。

n-型半導(dǎo)體負(fù)電吸附，p-型半導(dǎo)體正電吸附，表面電導(dǎo)率增加。

空間電荷層形成耗盡層，材料表面電導(dǎo)率降低。

電子導(dǎo)電材料中溫度對(duì)載流子遷移率的影響為：低溫下雜質(zhì)離子對(duì)電子的散射起主要作用，高溫下聲子對(duì)電子的散射起主要作用。

因?yàn)榻饘僦凶杂呻娮訚舛群艽?，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過半導(dǎo)體的載流子密度，故半導(dǎo)體的霍爾系數(shù)大于金屬。

如果對(duì)某試樣測(cè)得的霍爾系數(shù)RH為正值，則其電導(dǎo)載流子為電子。

單晶硅半導(dǎo)體的禁帶寬度為1.10eV，等效狀態(tài)密度N=1.0×1019/cm3，求在273K時(shí)該半導(dǎo)體中的本征載流子濃度ni為（）。

已知某離子晶體的晶格常數(shù)為5.0×10-8cm，固有振動(dòng)頻率為1012Hz，晶格勢(shì)能壘為0.5eV，求300K時(shí)的離子遷移率為（）。

化合物半導(dǎo)體的禁帶寬度一般隨平均原子系數(shù)的增加而變窄，如GaN＞GaP。

金屬氧化物MO中氧原子過剩時(shí)形成n型半導(dǎo)體，金屬原子過剩時(shí)形成p型半導(dǎo)體。

n-型半導(dǎo)體負(fù)電吸附，p-型半導(dǎo)體正電吸附，表面電導(dǎo)率增加。

空間電荷層形成耗盡層，材料表面電導(dǎo)率降低。

電子導(dǎo)電材料中溫度對(duì)載流子遷移率的影響為：低溫下雜質(zhì)離子對(duì)電子的散射起主要作用，高溫下聲子對(duì)電子的散射起主要作用。

因?yàn)榻饘僦凶杂呻娮訚舛群艽?，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過半導(dǎo)體的載流子密度，故半導(dǎo)體的霍爾系數(shù)大于金屬。

如果對(duì)某試樣測(cè)得的霍爾系數(shù)RH為正值，則其電導(dǎo)載流子為電子。

單晶硅半導(dǎo)體的禁帶寬度為1.10eV，等效狀態(tài)密度N=1.0×10¹⁹/cm³，求在273K時(shí)該半導(dǎo)體中的本征載流子濃度ni為（）。

已知某離子晶體的晶格常數(shù)為5.0×10^-8cm，固有振動(dòng)頻率為10¹²Hz，晶格勢(shì)能壘為0.5eV，求300K時(shí)的離子遷移率為（）。