在一本征硅中，摻入施主雜質(zhì)，其濃度ND=2×1014cm-3。
（1）求室溫300K時自由電子和空穴的熱平衡濃度值，并說明半導(dǎo)體為P型或N型。
（2 ）若再摻入受主雜質(zhì)，其濃度NA=3×1014cm-3，重復(fù)（1）。
（3）若ND=NA=1015cm-3，重復(fù)（1）。
（4）若ND=1016cm-3，NA=1014cm-3，重復(fù)（1）。
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A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET
A./*...*/
B.{...}
C.begin...end
D.module...endmodule
?6位7段數(shù)碼管動態(tài)顯示模塊如圖，要求人眼看到所有數(shù)碼管同時顯示各自對應(yīng)的數(shù)字，控制數(shù)碼管位選信號的動態(tài)掃描時鐘信號頻率約為多少？（）
A.1Hz
B.100Hz
C.1kHz
D.10Hz
A.對電壓信號有極好的放大作用
B.對電流信號有極好的放大作用
C.有較高的輸入輸出電阻
D.可用作電流跟隨器
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時，柵極直流電壓將會（），漏極直流電流將會（），輸入電阻將會（）。
A.增大，不變，減小
B.不變，增大，不變
C.不變，不變，減小
D.增大，不變，增大
?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會（），漏極交流電壓將會（），增益將會（）。
A.不變，增大，增大
B.不變，減小，減小
C.增大，減小，不變
D.增大，不變，減小
A.8’b11_11_11_11
B.8’b1111111
C.8’h7f
D.8’d127
最新試題
CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?
?在verilogHDL的數(shù)字表達方式用，和十進制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達方式有（）。
?CD放大器的性能特征有（）。?
當VGS=0時，能夠?qū)ǖ腗OS管為（）
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個加數(shù)，ci為來自低位的進位，sum為和，co為向高位的進位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義：下面通過層次調(diào)用的方式進行邏輯實現(xiàn)中的表達式正確的是（）。
一塊通用面包板，公共條是三?四?三分段連通型，那么這塊板上最多有（）個插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時，溝道夾斷點向漏極移動。
?CS放大器中引入源極電阻RS，其作用有（）。?
在對數(shù)字鐘計時、校時模塊進行仿真時，設(shè)秒信號的周期為10ns，若要觀察24時制計數(shù)是否正確，那么在復(fù)位信號無效，計時使能信號有效的情況下，仿真需運行多長時間？（）
?數(shù)字頻率計設(shè)計中的測頻計數(shù)模塊共有多少個狀態(tài)？（）