A.tpd
B.2tpd
C.4tpd
D.6tpd
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A.JK=0X
B.JK=X0
C.JK=X1
D.JK=1X
A.二者都是時(shí)序邏輯電路
B.二者都無記憶功能
C.二者都有記憶功能
D.前者是時(shí)序邏輯電路
A.組合邏輯電路
B.時(shí)序邏輯電路
C.脈沖電路
D.基本邏輯門電路
A.加法、減法
B.同步和異步
C.二、十和N進(jìn)制
D.可逆
A.置0、置1
B.置0、置1、保持
C.置0、置1、保持、翻轉(zhuǎn)
D.保持、翻轉(zhuǎn)
最新試題
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大，溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
在對(duì)數(shù)字鐘計(jì)時(shí)、校時(shí)模塊進(jìn)行仿真時(shí)，設(shè)秒信號(hào)的周期為10ns，若要觀察24時(shí)制計(jì)數(shù)是否正確，那么在復(fù)位信號(hào)無效，計(jì)時(shí)使能信號(hào)有效的情況下，仿真需運(yùn)行多長(zhǎng)時(shí)間？（）
?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測(cè)頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)？（）
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
?CD放大器的性能特征有（）。?
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?
一塊通用面包板，公共條是三?四?三分段連通型，那么這塊板上最多有（）個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
?verilog語法中，間隔符號(hào)主要包括（）。